600-V- und 650-V-Leistungs-MOSFETs der Serie DTMOS-VI

Die Super-Junction-MOSFETs DTMOS-VI von Toshiba sind für Schaltanwendungen konzipiert

Abbildung: 600-V- und 650-V-Leistungs-MOSFETs der Serie DTMOS-VI von Toshiba Der neueste DTMOS-VI-Prozess von Toshiba bietet 600-V- und 650-V-MOSFETs, die einen leistungsstarken Super-Junction-Prozess mit einer robusten oder schnelleren Substratdiode nutzen, um die Effizienz in kritischen Schaltanwendungen wie Stromversorgungen, Rechenzentren und Solarwechselrichtern zu verbessern.

Diese Produkte, bei denen der DTMOS-VI-(HSD)-Prozess zum Einsatz kommt, nutzen Hochgeschwindigkeits-Substratdioden zur Verbesserung der Umkehrerholungseigenschaften, die für Brückenschaltungen und Wechselrichterschaltungen von entscheidender Bedeutung sind. Im Vergleich zum Standard-DTMOS-VI-Prozess erreichen sie eine Verringerung der Umkehrerholungszeit (trr) um 65 % und eine Verringerung der Umkehrerholungsladung (Qrr) um 88 % (Messbedingungen: -dIDR/dt=100 A/μs).

Beide DTMOS-VI-Prozesse sind in einer Vielzahl von Gehäusen erhältlich, darunter Standard-TO-220- und TO-247-Gehäuse für die Durchsteckmontage sowie Optionen für die Oberflächenmontage wie TOLL oder DFN8x8.

Merkmale/Funktionen
  • Der niedrigste Durchlasswiderstand der Produktfamilie beträgt max. 0,024 Ω (VGS=10 V)
  • Niedriger RDS(ON) x Qgd (Drain-Source-Durchlasswiderstand x Gate-Drain-Ladung)
  • Hoher Wirkungsgrad in Schaltnetzteilen
  • Enge Schwellenspannung für zuverlässigen Betrieb
  • Integrierte Hochgeschwindigkeitsdiode bietet eine verbesserte Sperrverlustdämpfung
Anwendungen/Zielmärkte
  • Industrieanlagen
  • Schaltnetzteile (Server in Rechenzentren, Kommunikationsgeräte und mehr)
  • Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV)
  • Signalaufbereiter für Photovoltaik-Generatoren
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme
Diagramm (zum Vergrößern anklicken)

Abbildung: Vergleich von Drain-Source-Durchlasswiderstand und Gate-Drain-Ladung

DTMOS-VI 600 V and 650 V Power MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungDrain-Source-Spannung (Vdss)Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°CVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,TK155U60Z1,RQN-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,600 V17 A (Ta)4000 - Sofort$2.99Details anzeigen
N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,TK125U60Z1,RQN-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,600 V20 A (Ta)4000 - Sofort$3.31Details anzeigen
N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,TK099U60Z1,RQN-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,600 V25 A (Ta)4000 - Sofort$3.82Details anzeigen
N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, TTK080U60Z1,RQN-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T600 V30 A (Ta)4000 - Sofort$4.37Details anzeigen
N-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V,TK115U65Z5,RQN-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V,650 V24 A (Ta)4000 - Sofort$5.35Details anzeigen
N-CH MOSFET, 650 V, 0.095 @10V,TK095U65Z5,RQN-CH MOSFET, 650 V, 0.095 @10V,650 V29 A (Ta)4000 - Sofort$6.05Details anzeigen
N-CH MOSFET 600V 0.024OHM 10VTK024N60Z1,S1FN-CH MOSFET 600V 0.024OHM 10V600 V80 A (Ta)104 - Sofort$13.24Details anzeigen
DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZTK065U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ650 V38 A (Ta)1676 - Sofort$7.67Details anzeigen
DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZTK110U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ650 V24 A (Ta)5932 - Sofort$5.50Details anzeigen
MOSFET N-CH 650V 24A 5DFNTK125V65Z,LQMOSFET N-CH 650V 24A 5DFN650 V24 A (Ta)9890 - Sofort$5.83Details anzeigen
MOSFET N-CH 650V 30A 5DFNTK099V65Z,LQMOSFET N-CH 650V 30A 5DFN650 V30 A (Ta)4730 - Sofort$6.37Details anzeigen
DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZTK090U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ650 V30 A (Ta)0 - Sofort$6.37Details anzeigen
DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZTK190U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ650 V15 A (Ta)1008 - Sofort$3.97Details anzeigen
MOSFET N-CH 650V 18A 5DFNTK170V65Z,LQMOSFET N-CH 650V 18A 5DFN650 V18 A (Ta)4938 - Sofort$4.71Details anzeigen
MOSFET N-CH 650V 15A 5DFNTK210V65Z,LQMOSFET N-CH 650V 15A 5DFN650 V15 A (Ta)4616 - Sofort$4.26Details anzeigen
650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODETK095N65Z5,S1F650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE650 V29 A (Ta)195 - Sofort$6.92Details anzeigen
650V DTMOS6-HSD TO-247 68MOHMTK068N65Z5,S1F650V DTMOS6-HSD TO-247 68MOHM650 V37 A (Ta)235 - Sofort$8.90Details anzeigen
650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247TK042N65Z5,S1F650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247650 V55 A (Ta)63 - Sofort$11.95Details anzeigen
MOSFET N-CH 650V 38A TO247TK065N65Z,S1FMOSFET N-CH 650V 38A TO247650 V38 A (Ta)33 - Sofort$8.16Details anzeigen
MOSFET N-CH 650V 24A TO220SISTK110A65Z,S4XMOSFET N-CH 650V 24A TO220SIS650 V24 A (Ta)27 - Sofort$5.07Details anzeigen
Veröffentlicht: 2025-08-20