Name: TK042N65Z5,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK042N65Z5S1F(S-ND
Price: 14.579 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK042N65Z5,S1F
DigiKey-Teilenr.	264-TK042N65Z5S1F(S-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK042N65Z5,S1F
Beschreibung	650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 55 A (Ta) 360W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSVI
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	55 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	42mOhm bei 27,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 2,85mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6280 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	360W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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