900-V-Siliziumcarbid(-(EliteSiC)-MOSFETs

Die MOSFETs von onsemi bieten einen hohen Wirkungsgrad, eine erhöhte Leistungsdichte sowie eine geringere Systemgröße.

Abbildung: 900-V-Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs von ON SemiconductorDie 900-V-EliteSiC-MOSFETs von onsemi nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chipgröße für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, höhere Leistungsdichte, reduzierte EMI und reduzierte Systemgröße und -kosten.

Merkmale
  • Nennspannung von 900 V
  • Niedriger Durchlasswiderstand
  • Kompakte Chipgröße gewährleistet niedrige Kapazität und Gate-Ladung
 
  • Schnelles Schalten und niedrige Kapazität
  • 100 % UIL-getestet
  • Automobilzulassung nach AEC-Q101
Anwendungen
  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Bordladegeräte
  • Aufwärts-Wechselrichter
  • Aufladen von E-Zigaretten (Personal Vaporizer)
  • Kfz-DC/DC-Wandler für EV/PHEV (Elektro-/Hybridfahrzeuge)
 
  • Kfz-Bordladegeräte
  • Kfz-Hilfsmotorantriebe
  • Netzwerk-Netzteile
  • Server-Stromversorgung

900 V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAKNVBG020N090SC1SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK508 - Sofort
4800 - Lagerbestand des Herstellers
$30.45Details anzeigen
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3NTHL020N090SC1SICFET N-CH 900V 118A TO247-31555 - Sofort
2700 - Lagerbestand des Herstellers
$24.49Details anzeigen
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3NVHL020N090SC1SICFET N-CH 900V 118A TO247-3168 - Sofort$25.65Details anzeigen
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L060N090SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL478 - Sofort
450 - Lagerbestand des Herstellers
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SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAKNTBG020N090SC1SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK974 - Sofort$24.60Details anzeigen
SICFET N-CH 900V 46A TO247-3NTHL060N090SC1SICFET N-CH 900V 46A TO247-32653 - Sofort
33300 - Lagerbestand des Herstellers
$11.58Details anzeigen
SICFET N-CH 900V 46A TO247-3NVHL060N090SC1SICFET N-CH 900V 46A TO247-3163 - Sofort
59400 - Lagerbestand des Herstellers
$15.76Details anzeigen

Other Wide Bandgap Solutions

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3NTHL080N120SC1SICFET N-CH 1200V 44A TO247-30 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AAFFSD08120ADIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA2358 - Sofort
5000 - Lagerbestand des Herstellers
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DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOICNCD57001DWR2GDGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC1231 - Sofort$5.26Details anzeigen
IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFNNCP51705MNTXGIC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN961 - Sofort
114000 - Lagerbestand des Herstellers
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DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263FFSB0665BDIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263627 - Sofort$2.60Details anzeigen
DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472NDSH25170ADIODE SIL CARB 1700V 25A TO24720 - Sofort$15.15Details anzeigen
Veröffentlicht: 2020-04-14