Name: NTBG020N090SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG020N090SC1TR-ND
Price: 30.012 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTBG020N090SC1
DigiKey-Teilenr.	5556-NTBG020N090SC1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 5556-NTBG020N090SC1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 5556-NTBG020N090SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTBG020N090SC1
Beschreibung	SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 900 V 9,8A (Ta), 112A (Tc) 3,7W (Ta), 477W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK-7
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTBG020N090SC1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	900 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9,8A (Ta), 112A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	28mOhm bei 60A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,3V bei 20mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	200 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	+19V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4415 pF @ 450 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,7W (Ta), 477W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	D2PAK-7
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Basis-Produktnummer	NTBG020