Leistungs-MOSFET OptiMOS™ 7 für die Automobiltechnik

Der Leistungs-MOSFET OptiMOS 7 von Infineon Technologies ist die nächste Generation der MOSFET-Technologie für Automobilanwendungen. Er bietet einen hervorragenden Wirkungsgrad, reduzierte Schaltverluste und erhöhte Zuverlässigkeit für Hochstromanwendungen in kompakten Gehäusen.

Mit dem OptiMOS 7 bietet Infineon eine MOSFET-Technologie, die neue Maßstäbe in Sachen Energieeffizienz, Zuverlässigkeit und kompaktes Design setzt. Diese innovative Lösung wurde entwickelt, um den anspruchsvollen Anforderungen von Automobilanwendungen gerecht zu werden und die Entwicklung effizienterer, nachhaltigerer und leistungsfähigerer Fahrzeuge zu ermöglichen. Die innovativen und robusten Gehäuse zeichnen sich durch einen unglaublich kleinen Footprint aus, wodurch sie sich ideal für eine Vielzahl von Automobilsystemen eignen, von elektrischen Antriebssträngen bis hin zu fortschrittlichen Fahrerassistenzsystemen (ADAS).

Durch die Nutzung der hochmodernen Funktionen von OptiMOS 7 können Automobilhersteller effizientere, umweltfreundlichere und kostengünstigere Fahrzeuge entwickeln, die den sich wandelnden Anforderungen der Branche gerecht werden. OptiMOS 7 wird eine entscheidende Rolle bei der Gestaltung der Zukunft der Automobiltechnik spielen, sei es bei Elektro- oder Hybridfahrzeugen oder autonomen Fahrsystemen.

Merkmale/Funktionen

• Die beispiellose Energieeffizienz ermöglicht die Entwicklung effizienterer und nachhaltigerer Fahrzeuge, wodurch der Energieverbrauch und die Emissionen gesenkt werden
• Geringere Schaltverluste minimieren die Energieverschwendung, reduzieren die Wärmeentwicklung und erhöhen die Zuverlässigkeit des Gesamtsystems
• Ein größerer sicherer Betriebsbereich (SOA) für Hochstromanwendungen ermöglicht ein robusteres und zuverlässigeres Systemdesign, selbst bei anspruchsvollen Hochstromanwendungen
• Innovative und robuste Gehäuse mit geringer Stellfläche ermöglichen ein kompaktes Systemdesign, wodurch der Platzbedarf reduziert und die Designflexibilität erhöht wird
• Ein hervorragender R_DS(ON) von 0,39 mΩ sorgt für einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand, was zu geringeren Energieverlusten und einer höheren Systemeffizienz führt