Name: IAUCN08S7N013ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7N013ATMA1TR-ND
Price: 4.5018 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUCN08S7N013ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUCN08S7N013ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUCN08S7N013ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUCN08S7N013ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUCN08S7N013ATMA1
Beschreibung	MOSFET_(75V 120V(
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 274A (Tj) 219W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-53
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	274A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	7V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,3mOhm bei 88A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,2V bei 130µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	116 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8402 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	219W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-53
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN