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How to GaN – 08: Understanding the Robustness of GaN Power Devices
Results of in-depth reliability testing of EPC’s eGaN Field Effect Transistors.
Part List
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Technologie | Konfiguration | FET-Merkmal | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | EPC2106 | MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE | GaNFET (Galliumnitrid) | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | - | 13457 - Sofort | $2.41 | Details anzeigen |
|  | EPC2110 | MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE | GaNFET (Galliumnitrid) | 2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-Pin | - | 10749 - Sofort | $2.91 | Details anzeigen |
|  | EPC2108 | MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA | GaNFET (Galliumnitrid) | 3 N-Kanal (Halbbrücke + synchroner Bootstrap) | - | 459 - Sofort | $2.33 | Details anzeigen |
|  | EPC2111 | MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE | GaNFET (Galliumnitrid) | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | - | 12763 - Sofort | $3.94 | Details anzeigen |
|  | EPC2101 | MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE | GaNFET (Galliumnitrid) | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | - | 521 - Sofort | $9.78 | Details anzeigen |
|  | EPC2102 | MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE | GaNFET (Galliumnitrid) | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | - | 276 - Sofort | $9.41 | Details anzeigen |
| | EPC2103 | MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE | GaNFET (Galliumnitrid) | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | - | 7854 - Sofort | $9.78 | Details anzeigen |
| | EPC2104 | MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE | GaNFET (Galliumnitrid) | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | - | 1880 - Sofort | $9.41 | Details anzeigen |
