EPC

- EPC ist der führende Hersteller von Energiemanagementkomponenten auf Galliumnitrid-Basis. EPC war das erste Unternehmen, das FETs mit auf Silizium angereichertem Galliumnitrid (eGaN®) als Ersatz für Leistungs-MOSFET in Anwendungen wie DC/DC-Wandler, drahtlose Energieübertragung, Hüllkurvennachführung, Funkübertragung, Leistungsumrichter, Fernabtastung (LiDAR) und Audio-Verstärker der Klasse-D einführte, mit Leistungen, die um ein Vielfaches höher sind, als die der besten Silizium-Leistungs-MOSFETs.

GaN für LiDAR

Bild zu GaN für LiDAR von EPC

Alex Lidow von EPC erklärt, warum eGaN-FETs und -ICs sich beim Betrieb von LiDAR-Lasern auszeichnen und warum sowohl Festkörper- als auch rotierende LiDAR-Einheiten eine Rolle in autonomen Fahrzeugen, Robotern und Drohnen spielen werden. Erfahren Sie mehr

GaN-ICs

Bild des Gate-Treibers und des FET in integrierten eGaN-Schaltkreisen von EPC

Leistungstransistoren mit eGaN-Technologie können in Nanosekunden oder weniger schalten. Wie von Alex Lidow von EPC erklärt, vereinfacht die Kombination des eGaN-Gate-Treibers auf dem gleichen Chip wie der Leistungstransistor das Design und senkt die Kosten der Leistungselektronik. Erfahren Sie mehr

48 V zu 12 V DC/DC-Wandlung mit GaN - effizienter, kleiner und kostengünstiger

Bild zur DC/DC-Konvertierung von EPC

Das Entwicklungsboard EPC9130 ist ein 5-Phasen-Zwischenbuswandler (IBC) (500 kHz Schaltfrequenz, 48 V Nenneingangsspannung, 60 A maximaler Ausgangsstrom) mit integriertem Mikrocontroller und Gattertreibern, der mit dem 100 V eGaN®-Feldeffekttransistor EPC2045 (eGaN: enhancement mode GaN) ausgestattet ist. Erfahren Sie mehr

Empfohlene Produkte

Abbildung der eGaN-ICs EPC2112 und EPC2115 von EPC

eGaN®-ICs EPC2112/EPC2115

Die eGaN®-ICs EPC2112/EPC2115 von EPC kombinieren Gate-Treiber mit hochfrequenzfähigen GaN-FETs für höhere Effizienz, reduzierte Größe und geringerer Kosten. Erfahren Sie mehr

Bild des GaN-Leistungsmoduls EPC9205 von EPC

GaN-Leistungsmodul EPC9205

Das GaN-Leistungsmodul EPC9205 von EPC ist für die Plug&Play-Evaluierung der hohen Leistung von integrierten Galliumnitrid-Schaltkreisen konzipiert. Erfahren Sie mehr

Newest Products Alle anzeigen (47)

EPC2111 30 V eGaN® Transistor Half-Bridge

EPC's EPC2111 eGaN® half-bridge enables 12 V to 1.8 V system efficiency over 85% at 5 MHz at 14 A output reducing costs to end user’s power conversion systems. Erfahren Sie mehr

Automobil-qualifizierter 80-V-eGaN-FET EPC2214

Der EPC2214 von EPC ist ein 80-V-eGaN-FET mit 20 mΩ und einem gepulsten Strom von 47 A auf einer winzigen Grundfläche von 1,8 mm x 1,8 mm. Erfahren Sie mehr

GaN-Automobilanwendungen

Die GaN-Anreicherungs-Leistungstransistoren von EPC für Automobilanwendungen nutzen die verbesserte Effizienz, und Geschwindigkeit, die kleinere Größe und die geringeren Kosten von eGaN®-Komponenten voll aus. Erfahren Sie mehr

LiDAR-Entwicklungskarten EPC9126/EPC9126HC

Die Entwicklungskarten EPC9126 und EPC9126HC von EPC dienen in erster Linie zum Ansteuern von Laserdioden mit hohen Stromimpulsen mit Gesamtpulslängen bis minimal 5 ns (10 % des Höchstwertes). Erfahren Sie mehr

100V Gen 5 Family

The latest generation of 100 V GaN devices increase the efficiency, shrink the size, and reduce system cost for 48 V power conversion. Erfahren Sie mehr

EPC2100-Transistoren und EPC9036-Entwicklungskarte

Die monolithischen Halbbrücken-Komponenten von EPC sparen Platz, verbessern die Effizienz und reduzieren die Systemkosten. Erfahren Sie mehr

Recent PTMs Alle anzeigen (10)

eGaN® FET Reliability Aktualisiert: 2016-03-30

Significant performance and size advantages over silicon power MOSFETs allow for improved system efficiency, reduced system costs, and reduced design size.

Duration: 5 minutes
eGaN-based Eighth Brick Converter Publish Date: 2015-08-24

Review of the design specifications of a 500 W 1/8th brick converter

Duration: 5 minutes
eGaN Integrated GaN Power Publish Date: 2015-06-19

eGaN technology offers higher power density through size reduction and speed reduction, and parasitic reduction.

Duration: 5 minutes
Driving eGaN FETs with the LM5113 Publish Date: 2012-10-16

The advantages of EPC’s enhancement mode gallium nitride transistors and the key design challenges of implementing the new device technology.

Duration: 15 minutes

Featured Videos Alle anzeigen (53)

EPC's Alex Lidow shows off their latest wide-bandgap solutions at APEC

In this video, EPC CEO Alex Lidow talks to Embedded Computing Design’s Alix Paultre at the APEC exhibition in Anaheim, California. The various design-ins shown underscore the advantages GaN-based devices can provide a power system.

PSDtv - EPC on Why Silicon is Dead at APEC 2019

In this episode of PSDtv Alex Lidow, Chief Executive Officer and Co-Founder of Efficient Power Conversion (EPC) is at APEC 2019 in Anaheim an Discusses why their GaN on Silicon devices make Silicon now dead.

APEC 2017 Applications for GaN

In this video, Alex Lidow, CEO, takes a “walk through our booth,” showing eGaN FETs and ICs in a wide range of applications including EPC’s latest generation FETs for DC-DC conversion.

300 W GaN-Based Wirelessly Powered Smart Desk at CES 2018

A world with no power cords where you have the ability to place whatever you need on a single surface to charge AND power is here today!

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