N-Kanal 80 V 35A (Ta), 168A (Tc) 5W (Ta), 113,6W (Tc) Oberflächenmontage PMPAK® 5 x 6
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N-Kanal 80 V 35A (Ta), 168A (Tc) 5W (Ta), 113,6W (Tc) Oberflächenmontage PMPAK® 5 x 6
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP8NA2R2CXT

DigiKey-Teilenr.
5048-XP8NA2R2CXTTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
5048-XP8NA2R2CXTCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
5048-XP8NA2R2CXTDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
YAGEO XSEMI
Hersteller-Teilenummer
XP8NA2R2CXT
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 80 V 35A (Ta), 168A (Tc) 5W (Ta), 113,6W (Tc) Oberflächenmontage PMPAK® 5 x 6
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
YAGEO XSEMI
Serie
XP8NA2R2C
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
35A (Ta), 168A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,2mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
179 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
9328 pF @ 60 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
5W (Ta), 113,6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
PMPAK® 5 x 6
Gehäuse / Hülle
8-PowerLDFN
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Gurtabschnitt (CT)
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Menge Stückpreis Gesamtpreis
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