TO263-7
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C3M0160120J

DigiKey-Teilenr.
1697-C3M0160120J-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
C3M0160120J
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 17 A (Tc) 90W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
C3M0160120J Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
208mOhm bei 8,5A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,6V bei 2,33mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
24 nC @ 15 V
Vgs (Max.)
+15V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
632 pF @ 1000 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263-7
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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