SDRAM - Mobile LPDDR4X Speicher IC 2Gbit LVSTL_11 1.6 GHz 3.5 ns 200-WFBGA (10x14,5)
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W66BQ6NBUAFJ

DigiKey-Teilenr.
256-W66BQ6NBUAFJ-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
W66BQ6NBUAFJ
Beschreibung
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
SDRAM - Mobile LPDDR4X Speicher IC 2Gbit LVSTL_11 1.6 GHz 3.5 ns 200-WFBGA (10x14,5)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Speicherschnittstelle
LVSTL_11
Herst.
Taktfrequenz
1.6 GHz
Verpackung
Tablett
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
18ns
Status der Komponente
Obsolet
Zugriffszeit
3.5 ns
Von DigiKey programmierbar
Nicht verifiziert
Spannung - Versorgung
1,06V bis 1,17V, 1,7V bis 1,95V
Speichertyp
Flüchtig
Betriebstemperatur
-40°C bis 105°C (TC)
Speicherformat
Montagetyp
Oberflächenmontage
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR4X
Gehäuse / Hülle
Speichergröße
Gehäusetyp vom Lieferanten
200-WFBGA (10x14,5)
Speicherorganisation
128M x 16
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Obsolet
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