Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 400 V 8 A 80 W Durchkontaktierung TO-220AB
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 400 V 8 A 80 W Durchkontaktierung TO-220AB
TO-220-3

PHE13007,127

DigiKey-Teilenr.
1740-1443-ND
Hersteller
WeEn Semiconductors
Hersteller-Teilenummer
PHE13007,127
Beschreibung
TRANS NPN 400V 8A TO-220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 400 V 8 A 80 W Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
WeEn Semiconductors
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
400 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
350mV bei 1A, 5A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
200µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
8 bei 2A, 5V
Leistung - Max.
80 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Basis-Produktnummer
PHE13
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