Name: SQJB70EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJB70EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.6348 EUR
Availability: InStock

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SQJB70EP-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQJB70EP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQJB70EP-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQJB70EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJB70EP-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 11.3A PPAK SO8
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 100V 11,3 A (Tc) 27W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJB70EP-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 7nC bei 10V
Hersteller Vishay Siliconix	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 220pF bei 25V
Serie TrenchFET®	Leistung - Max. 27W (Tc)
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Status der Komponente Aktiv	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8 Dual
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 11,3 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8 Dual
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 95mOhm bei 4A, 10V	Basis-Produktnummer SQJB70
Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 250µA