Name: SQJ504EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ504EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.379 EUR
Availability: InStock

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SQJ504EP-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQJ504EP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQJ504EP-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQJ504EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJ504EP-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Standardlieferzeit des Herstellers	37 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 40V 30 A (Tc) 34W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJ504EP-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 30nC bei 10V, 85nC bei 10V
Hersteller Vishay Siliconix	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1900pF bei 25V, 4600pF bei 25V
Serie TrenchFET®	Leistung - Max. 34W (Tc)
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Status der Komponente Aktiv	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Konfiguration N- und P-Kanal	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8 Dual
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8 Dual
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 7,5mOhm bei 8A, 10V, 17mOhm bei 8A, 10V	Basis-Produktnummer SQJ504
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,95000
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SQJ504EP-T1_GE3