Name: SQJ465EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ465EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.4888 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQJ465EP-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQJ465EP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQJ465EP-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJ465EP-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 8 A (Tc) 45W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJ465EP-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 40 nC @ 10 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±20V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1140 pF @ 30 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TA)
FET-Typ P-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 8 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 85mOhm bei 3,5A, 10V, 1,17mOhm bei 20A, 10V	Basis-Produktnummer SQJ465
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA