Name: SQD50N10-8M9L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD50N10-8M9L_GE3TR-ND
Price: 2.7572 EUR
Availability: InStock

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SQD50N10-8M9L_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQD50N10-8M9L_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQD50N10-8M9L_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQD50N10-8M9L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQD50N10-8M9L_GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 50 A (Tc) 136W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQD50N10-8M9L_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 70 nC @ 10 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±20V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2950 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 136W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 50 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,9mOhm bei 15A, 10V	Basis-Produktnummer SQD50
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA

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Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

Standardverpackung des Herstellers

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 2,26000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 2,75720

SQD50N10-8M9L_GE3