Name: SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND
Price: 7.747 EUR
Availability: InStock

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SIJK5100E-T1-GE3
cms-digikey-product-number	742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIJK5100E-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIJK5100E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SIJK5100E-T1-GE3
cms-description	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
cms-standard-lead-time	13 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-Kanal 100 V 74A (Ta), 417A (Tc) 17W (Ta), 536W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK®10 x 12
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	SIJK5100E-T1-GE3 Modelle

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	74A (Ta), 417A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	7,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,4mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	11480 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	17W (Ta), 536W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK®10 x 12
Gehäuse / Hülle	8-PowerBSFN