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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHP23N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHP23N60E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHP23N60E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 23A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 23 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHP23N60E-GE3 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 95 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2418 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 227W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 158mOhm bei 12A, 10V | Basis-Produktnummer |
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 3,83000 | € 3,83 |
| 50 | € 1,95960 | € 97,98 |
| 100 | € 1,77850 | € 177,85 |
| 500 | € 1,46106 | € 730,53 |
| 1 000 | € 1,35913 | € 1 359,13 |
| 2 000 | € 1,27345 | € 2 546,90 |
| 5 000 | € 1,23490 | € 6 174,50 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 3,83000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 4,67260 |
