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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHG47N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 742-SIHG47N65E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHG47N65E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 47 A (Tc) 417W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 273 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5682 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 417W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AC |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 72mOhm bei 24A, 10V | Basis-Produktnummer |
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Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 8,24000 | € 8,24 |
| 10 | € 5,64300 | € 56,43 |
| 100 | € 4,17280 | € 417,28 |
| 500 | € 3,54684 | € 1 773,42 |
| 1 000 | € 3,43678 | € 3 436,78 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 8,24000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 10,05280 |
