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SIHG33N65EF-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHG33N65EF-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHG33N65EF-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC |
Standardlieferzeit des Herstellers | 26 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 31,6 A (Tc) 313W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 171 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4026 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 313W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AC |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 109mOhm bei 16,5A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH099N60E | onsemi | 0 | FCH099N60E-ND | € 0,00000 | Ähnlich |
| FCH104N60F | onsemi | 446 | FCH104N60F-ND | € 7,11000 | Ähnlich |
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | 310 | IPW60R099CPAFKSA1-ND | € 7,86000 | Ähnlich |
| IXFR64N60Q3 | IXYS | 30 | IXFR64N60Q3-ND | € 39,85000 | Ähnlich |
| IXTH34N65X2 | IXYS | 203 | IXTH34N65X2-ND | € 8,61000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 7,35000 | € 7,35 |
| 25 | € 4,38000 | € 109,50 |
| 100 | € 3,67200 | € 367,20 |
| 500 | € 3,10574 | € 1 552,87 |
| 1 000 | € 2,95446 | € 2 954,46 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 7,35000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 8,96700 |







