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SIHG33N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHG33N65E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHG33N65E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 32,4 A (Tc) 313W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 173 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4040 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 313W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AC |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 105mOhm bei 16,5A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| APT38N60BC6 | Microchip Technology | 0 | APT38N60BC6-ND | € 5,52433 | Ähnlich |
| FCH104N60F-F085 | onsemi | 411 | FCH104N60F-F085OS-ND | € 6,36000 | Ähnlich |
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | 240 | IPW60R099P6XKSA1-ND | € 4,97000 | Ähnlich |
| IXTH32N65X | IXYS | 0 | IXTH32N65X-ND | € 5,39100 | Ähnlich |
| SPW32N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | 472 | 448-SPW32N50C3FKSA1-ND | € 8,10000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 500 | € 3,59148 | € 1 795,74 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 3,59148 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 4,38161 |








