SIHG22N60E-E3 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

SIHG22N60E-GE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 495
Stückpreis : € 4,61000
Datenblatt

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Vorrätig: 280
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Datenblatt
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IRFP254PBF
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHG22N60E-E3

DigiKey-Teilenr.
SIHG22N60E-E3-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SIHG22N60E-E3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 21 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
21 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1920 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AC
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SIHG22
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 4,61000€ 4,61
25€ 2,66280€ 66,57
100€ 2,19740€ 219,74
500€ 1,82468€ 912,34
1 000€ 1,72740€ 1 727,40
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Stückpreis ohne MwSt.:€ 4,61000
Stückpreis mit MwSt.:€ 5,62420