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SIHG21N65EF-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHG21N65EF-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHG21N65EF-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 21A TO247AC |
Standardlieferzeit des Herstellers | 26 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHG21N65EF-GE3 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 106 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2322 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 208W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AC |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 11A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | 128 | 448-IPW60R170CFD7XKSA1-ND | € 3,69000 | Ähnlich |
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | 695 | IPW60R190P6FKSA1-ND | € 3,54000 | Ähnlich |
| IXFH22N65X2 | IXYS | 5 042 | 238-IXFH22N65X2-ND | € 7,81000 | Ähnlich |
| IXFH24N60X | IXYS | 0 | IXFH24N60X-ND | € 3,93667 | Ähnlich |
| IXFH30N60X | IXYS | 0 | IXFH30N60X-ND | € 3,60643 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 500 | € 2,52608 | € 1 263,04 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 2,52608 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 3,08182 |








