
SIHG100N60E-GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | SIHG100N60E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHG100N60E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 30A TO247AC |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 30 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 50 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1851 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 208W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AC |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 100mOhm bei 13A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 265 | 1801-TSM60NE084PWC0G-ND | € 9,19000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 6,26000 | € 6,26 |
| 10 | € 4,22000 | € 42,20 |
| 100 | € 3,06700 | € 306,70 |
| 500 | € 2,57580 | € 1 287,90 |
| 1 000 | € 2,41813 | € 2 418,13 |
| 2 000 | € 2,38478 | € 4 769,56 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 6,26000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 7,63720 |

