IRFR9220TRLPBF
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHD7N60E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHD7N60E-GE3-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SIHD7N60E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHD7N60E-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
600mOhm bei 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
680 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer
SIHD7
Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge
Alle Preise in EUR
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 2,37000€ 2,37
10€ 1,53000€ 15,30
100€ 1,05180€ 105,18
500€ 0,84728€ 423,64
1 000€ 0,78157€ 781,57
3 000€ 0,69960€ 2 098,80
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:€ 2,37000
Stückpreis mit MwSt.:€ 2,89140