Name: SIHB33N60EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB33N60EF-GE3-ND
Price: 8.5278 EUR
Availability: InStock

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SIHB33N60EF-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIHB33N60EF-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHB33N60EF-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 155 nC @ 10 V
Verpackung Lose im Beutel	Vgs (Max.) ±30V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3454 pF @ 100 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 278W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 33 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 98mOhm bei 16,5A, 10V	Basis-Produktnummer SIHB33

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