TO-263-3
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TO-263-3
TO-263-3

SIHB15N60E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHB15N60E-GE3-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SIHB15N60E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 15 A (Tc) 180W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
15 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
280mOhm bei 8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1350 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SIHB15
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Menge
Alle Preise in EUR
Lose im Beutel
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 3,54000€ 3,54
10€ 2,32800€ 23,28
100€ 1,63860€ 163,86
500€ 1,34442€ 672,21
1 000€ 1,24996€ 1 249,96
2 000€ 1,20918€ 2 418,36
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:€ 3,54000
Stückpreis mit MwSt.:€ 4,31880