Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich



SIHB12N60ET1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHB12N60ET1-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHB12N60ET1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 17 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 58 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Lose im Beutel | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 937 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 147W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK) |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 380mOhm bei 6A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB60R380C6ATMA1CT-ND | € 1,84000 | Ähnlich |
| R6011KNJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6011KNJTLCT-ND | € 2,80000 | Ähnlich |
| R6015ANJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6015ANJTL-ND | € 2,69491 | Ähnlich |
| R6015FNJTL | Rohm Semiconductor | 0 | 846-R6015FNJTLTR-ND | € 1,51722 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 800 | € 0,87693 | € 701,54 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 0,87693 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 1,06985 |



