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N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
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N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB12N60ET1-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHB12N60ET1-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHB12N60ET1-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
58 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Lose im Beutel
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
937 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
147W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
380mOhm bei 6A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (4)
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