Name: SIHA11N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHA11N80E-GE3-ND
Price: 4.758 EUR
Availability: InStock

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SIHA11N80E-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIHA11N80E-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHA11N80E-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 12 A (Tc) 34W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	E
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	440mOhm bei 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	88 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1670 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	34W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220 voller Pack
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	SIHA11

Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 3,90000	€ 3,90
50	€ 2,00400	€ 100,20
100	€ 1,82100	€ 182,10
500	€ 1,50062	€ 750,31
1 000	€ 1,39773	€ 1 397,73
2 000	€ 1,37544	€ 2 750,88

Standardverpackung des Herstellers

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