Name: SIA910EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA910EDJ-T1-GE3TR-ND
Price: 1.0614 EUR
Availability: InStock

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SIA910EDJ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIA910EDJ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIA910EDJ-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIA910EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIA910EDJ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Standardlieferzeit des Herstellers	28 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 12V 4,5A 7,8W Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIA910EDJ-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 28mOhm bei 5,2A, 4,5V
Hersteller Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 16nC bei 8V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 455pF bei 6V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 7,8W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SC-70-6 Dual
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,5A	Basis-Produktnummer SIA910

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)