Name: SIA527DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA527DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 0.9028 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIA527DJ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIA527DJ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIA527DJ-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIA527DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIA527DJ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 12V 4,5A 7,8W Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIA527DJ-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 29mOhm bei 5A, 4,5V
Hersteller Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 15nC bei 8V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 500pF bei 6V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 7,8W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration N- und P-Kanal	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SC-70-6 Dual
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,5A	Basis-Produktnummer SIA527

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 11 621

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von € 5,50 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)