Name: SI9926CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI9926CDY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.9642 EUR
Availability: InStock

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SI9926CDY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI9926CDY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI9926CDY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI9926CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI9926CDY-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 20V 8A 3,1W Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	18mOhm bei 8,3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	33nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1200pF bei 10V
Leistung - Max.	3,1W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Basis-Produktnummer	SI9926