Name: SI7997DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7997DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.0866 EUR
Availability: OutOfStock

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SI7997DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI7997DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI7997DP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI7997DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI7997DP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 60A 46W Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI7997DP-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 P-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5,5mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	160nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6200pF bei 15V
Leistung - Max.	46W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8 Dual
Basis-Produktnummer	SI7997