Name: SI7288DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7288DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.1838 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI7288DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI7288DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI7288DP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI7288DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI7288DP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 40V 20A 15,6W Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI7288DP-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	19mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,8V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	15nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	565pF bei 20V
Leistung - Max.	15,6W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8 Dual
Basis-Produktnummer	SI7288