MOSFETs - Arrays 30V 4 A, 3,7 A 3,12W, 3,1W Oberflächenmontage 1206-8 ChipFET™
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SI5504BDC-T1-E3

DigiKey-Teilenr.
SI5504BDC-T1-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
SI5504BDC-T1-E3CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SI5504BDC-T1-E3
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 30V 4 A, 3,7 A 3,12W, 3,1W Oberflächenmontage 1206-8 ChipFET™
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SI5504BDC-T1-E3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
65mOhm bei 3,1A, 10V
Hersteller
Vishay Siliconix
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 250µA
Serie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
7nC bei 10V
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
220pF bei 15V
Status der Komponente
Obsolet
Leistung - Max.
3,12W, 3,1W
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration
N- und P-Kanal
Montagetyp
Oberflächenmontage
FET-Merkmal
Logikpegel-Gate
Gehäuse / Hülle
8-SMD, flache Anschlüsse
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Gehäusetyp vom Lieferanten
1206-8 ChipFET™
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4 A, 3,7 A
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt.