Name: SI4946CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4946CDY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.4274 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI4946CDY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI4946CDY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4946CDY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4946CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4946CDY-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	33 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 5,2 A (Ta), 6,1 A (Tc) 2W (Ta), 2,8W (Tc) Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI4946CDY-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5,2 A (Ta), 6,1 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	40,9mOhm bei 5,2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	10nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	350pF bei 30V
Leistung - Max.	2W (Ta), 2,8W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SO
Basis-Produktnummer	SI4946