Name: SI4477DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4477DY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.2204 EUR
Availability: InStock

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SI4477DY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI4477DY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4477DY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4477DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4477DY-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 26,6 A (Tc) 3W (Ta), 6,6W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI4477DY-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 190 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±12V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4600 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 6,6W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOIC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 26,6 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 4,5V	Basis-Produktnummer SI4477
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6,2mOhm bei 18A, 4,5V