Name: SI4459BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4459BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.8178 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI4459BDY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI4459BDY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4459BDY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4459BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4459BDY-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 20,5 A (Ta), 27,8 A (Tc) 3,1W (Ta), 5,6W (Tc) Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI4459BDY-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20,5 A (Ta), 27,8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,9mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	84 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3490 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,1W (Ta), 5,6W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SO
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis-Produktnummer	SI4459