IRFP23N50LPBF ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


Microchip Technology
Vorrätig: 505
Stückpreis : € 3,71000
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Direkter Ersatz


IXYS
Vorrätig: 600
Stückpreis : € 6,88000
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Vorrätig: 0
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Vorrätig: 6
Stückpreis : € 8,30000
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Vorrätig: 656
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Vorrätig: 14
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Vorrätig: 0
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Vorrätig: 300
Stückpreis : € 13,73000
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Vorrätig: 1 104
Stückpreis : € 28,37000
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Vorrätig: 313
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STMicroelectronics
Vorrätig: 1 057
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STMicroelectronics
Vorrätig: 401
Stückpreis : € 8,03000
Datenblatt
N-Kanal 500 V 23 A (Tc) 370W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFP23N50LPBF

DigiKey-Teilenr.
IRFP23N50LPBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFP23N50LPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 23 A (Tc) 370W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRFP23N50LPBF Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
235mOhm bei 14A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3600 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
370W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AC
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Obsolet
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