N-Kanal 1000 V 3,1 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRFBG30PBF

DigiKey-Teilenr.
IRFBG30PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFBG30PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 3,1 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
IRFBG30PBF Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
80 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±20V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
980 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5Ohm bei 1,9A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 3,27000€ 3,27
50€ 1,65280€ 82,64
100€ 1,49560€ 149,56
500€ 1,21992€ 609,96
1 000€ 1,13134€ 1 131,34
2 000€ 1,05692€ 2 113,84
5 000€ 0,99863€ 4 993,15
Standardverpackung des Herstellers
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