N-Kanal 600 V 6,2 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRFBC40APBF

DigiKey-Teilenr.
IRFBC40APBF-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
IRFBC40APBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
73 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 6,2 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6,2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,2Ohm bei 3,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1036 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRFBC40
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