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Vishay Siliconix
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Datenblatt
P-Kanal 200 V 3,5 A (Tc) 3W (Ta), 40W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
P-Kanal 200 V 3,5 A (Tc) 3W (Ta), 40W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRF9620S

DigiKey-Teilenr.
IRF9620S-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF9620S
Beschreibung
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 200 V 3,5 A (Tc) 3W (Ta), 40W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
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Serie
-
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Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,5Ohm bei 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
350 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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