Name: IRF830PBF-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-IRF830PBF-BE3-ND
Price: 2.6352 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 500 V 4,5 A (Tc) 74W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF830PBF-BE3
DigiKey-Teilenr.	742-IRF830PBF-BE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRF830PBF-BE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 4,5 A (Tc) 74W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,5Ohm bei 2,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	610 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	74W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IRF830

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50	€ 1,05620	€ 52,81
100	€ 0,94910	€ 94,91
500	€ 0,76134	€ 380,67
1 000	€ 0,70097	€ 700,97
2 000	€ 0,65022	€ 1 300,44
5 000	€ 0,61539	€ 3 076,95

Standardverpackung des Herstellers

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