N-Kanal 200 V 9 A (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 200 V 9 A (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRF630SPBF

DigiKey-Teilenr.
IRF630SPBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF630SPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 9 A (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
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Herst.
Serie
-
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Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
400mOhm bei 5,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
800 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 74W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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