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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

IRF520SPBF
Vishay Siliconix
Vorrätig: 9 355
Stückpreis : € 1,64000
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Parametrisches Äquivalent

SIHF520STRL-GE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,39794
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

SIHF520STRR-GE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,39794
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N-Kanal 100 V 9,2 A (Tc) 3,7W (Ta), 60W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 100 V 9,2 A (Tc) 3,7W (Ta), 60W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRF520STRR

DigiKey-Teilenr.
IRF520STRR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
IRF520STRR
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 9,2 A (Tc) 3,7W (Ta), 60W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9,2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
270mOhm bei 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
360 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,7W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IRF520
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