2N7002-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

2N7002-T1-GE3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Vom Hersteller empfohlen

Vishay Siliconix

Vorrätig: 262 638

Stückpreis : € 0,43000

Direkter Ersatz

onsemi

Vorrätig: 119 702

Stückpreis : € 0,51000

Direkter Ersatz

Diotec Semiconductor

Vorrätig: 39 272

Stückpreis : € 0,13000

Ähnlich

onsemi

Vorrätig: 0

Stückpreis : € 0,20000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2N7002-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	2N7002-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 2N7002-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 2N7002-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	2N7002-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Oberflächenmontage TO-236
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	2N7002-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	115mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7,5Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	50 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	200mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-236
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	2N7002