Name: XPJ1R004PB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPJ1R004PBLXHQTR-ND
Price: 2.0984 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 40 V 160 A (Ta) 223W (Tc) Oberflächenmontage S-TOGL™

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

XPJ1R004PB,LXHQ
DigiKey-Teilenr.	264-XPJ1R004PBLXHQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-XPJ1R004PBLXHQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-XPJ1R004PBLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	XPJ1R004PB,LXHQ
Beschreibung	40V; UMOS9; MOSFET 1MOHM; L-TOGL
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 160 A (Ta) 223W (Tc) Oberflächenmontage S-TOGL™
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	XPJ1R004PB,LXHQ Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 84 nC @ 10 V
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6890 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 223W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 175°C
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 160 A (Ta)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten S-TOGL™
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1mOhm bei 80A, 10V	Gehäuse / Hülle 5-PowerSFN
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 500µA