Name: TW030Z120C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW030Z120C,S1F-ND
Price: 37.454 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TW030Z120C,S1F
DigiKey-Teilenr.	264-TW030Z120C,S1F-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TW030Z120C,S1F
Beschreibung	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 60 A (Tc) 249W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L(X)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	41mOhm bei 30A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 13mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	82 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2925 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	249W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4L(X)
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 80

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 30,70000	€ 30,70
30	€ 20,96300	€ 628,89

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.