Name: TRS6V65H,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS6V65H,LQTR-ND
Price: 3.0622 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TRS6V65H,LQ
DigiKey-Teilenr.	264-TRS6V65H,LQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TRS6V65H,LQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TRS6V65H,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TRS6V65H,LQ
Beschreibung	DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 4DFNEP
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 650 V 6A Oberflächenmontage 4-DFN-EP (8x8)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	6A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.35 V @ 6 A
Geschwindigkeit	Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)	0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	70 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F	392pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	4-VSFN mit freiliegendem Pad
Gehäusetyp vom Lieferanten	4-DFN-EP (8x8)
Betriebstemperatur - Übergang	175°C