Name: TPH1R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH1R712MDL1QTR-ND
Price: 2.2448 EUR
Availability: InStock

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TPH1R712MD,L1Q
DigiKey-Teilenr.	TPH1R712MDL1QTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TPH1R712MDL1QCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TPH1R712MDL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPH1R712MD,L1Q
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 60 A (Tc) 78W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TPH1R712MD,L1Q Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,2V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 182 nC @ 5 V
Serie U-MOSVI	Vgs (Max.) ±12V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 10900 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 78W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 4,5V	Basis-Produktnummer TPH1R712
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,7mOhm bei 30A, 4,5V